Scopri le caratteristiche tecniche e le innovazioni dei transistor Infineon CoolGaN™ G5, con integrazione di diodi Schottky per maggiore efficienza e densità di potenza.
Esplora il futuro dell’elettronica di potenza con un’analisi comparativa approfondita tra le tecnologie al silicio (Si), carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN). Scopri vantaggi, svantaggi e casi applicativi ottimali per progettisti e professionisti del settore.
L’evoluzione dell’elettronica di Potenza: un confronto tra tecnologie Si, SiC e GaN Leggi tutto »
